Trang in
SQJ560EP-T1_GE3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 9900 µohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtVISHAY
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSQJ560EP-T1_GE3
Mã Đặt Hàng3019154RL
Phạm vi sản phẩmTrenchFET Series
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
2,195 có sẵn
3,000 Bạn có thể đặt trước hàng ngay bây giờ
2195 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 100+ | US$0.894 |
| 500+ | US$0.710 |
| 1000+ | US$0.576 |
| 5000+ | US$0.551 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 100
Nhiều: 1
US$89.40
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtVISHAY
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSQJ560EP-T1_GE3
Mã Đặt Hàng3019154RL
Phạm vi sản phẩmTrenchFET Series
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeComplementary N and P Channel
Transistor PolarityComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel30A
On Resistance Rds(on)0.0099ohm
Continuous Drain Current Id P Channel30A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel9900µohm
Drain Source On State Resistance P Channel9900µohm
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StylePowerPAK SO
Gate Source Threshold Voltage Max2V
No. of Pins8Pins
Power Dissipation Pd34W
Power Dissipation N Channel34W
Power Dissipation P Channel34W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHC0
Thông số kỹ thuật
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id
30A
Continuous Drain Current Id N Channel
30A
Continuous Drain Current Id P Channel
30A
Drain Source On State Resistance N Channel
9900µohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation Pd
34W
Power Dissipation P Channel
34W
Product Range
TrenchFET Series
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
0
Transistor Polarity
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
On Resistance Rds(on)
0.0099ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
9900µohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation N Channel
34W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Germany
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Germany
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:0
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.001