Trang in
SQUN702E-T1_GE3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, N Channel, 200 V, 200 V, 30 A, 30 A, 0.0077 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtVISHAY
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSQUN702E-T1_GE3
Mã Đặt Hàng3128862
Phạm vi sản phẩmTrenchFET Series
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Có thể đặt mua
Thời gian xử lý đơn hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất: 26 tuần
Thông báo với tôi khi có hàng trở lại
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$3.770 |
| 10+ | US$2.800 |
| 100+ | US$2.330 |
| 500+ | US$2.120 |
| 1000+ | US$1.980 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$3.77
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtVISHAY
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSQUN702E-T1_GE3
Mã Đặt Hàng3128862
Phạm vi sản phẩmTrenchFET Series
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeComplementary N and P Channel, N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel200V
Drain Source Voltage Vds P Channel200V
Continuous Drain Current Id N Channel30A
Continuous Drain Current Id P Channel30A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0077ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0077ohm
Transistor Case Style-
No. of Pins10Pins
Power Dissipation N Channel60W
Power Dissipation P Channel60W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHC0
Tổng Quan Sản Phẩm
Cảnh Báo
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Thông số kỹ thuật
Channel Type
Complementary N and P Channel, N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
200V
Continuous Drain Current Id P Channel
30A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0077ohm
No. of Pins
10Pins
Power Dissipation P Channel
60W
Product Range
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
200V
Continuous Drain Current Id N Channel
30A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0077ohm
Transistor Case Style
-
Power Dissipation N Channel
60W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
0
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:0
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.015