Trang in
HSMS-2850-TR1G
RF Schottky Diode, Zero Bias, Single, 2 V, 1 mA, 250 mV, 0.3 pF, SOT-23
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtBROADCOM
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtHSMS-2850-TR1G
Mã Đặt Hàng1056849
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Sản phẩm thay thế cho HSMS-2850-TR1G
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Tổng Quan Sản Phẩm
The HSMS-2850-TR1G is a 3-pin single surface-mount zero bias Schottky Detector Diode has been designed and optimized for use in small signal (pin <lt/>-20dBm) applications at frequencies below 1.5GHz. They are ideal for RF/ID and RF Tag applications where primary (DC bias) power is not available. The Schottky barrier diode chip consists of a metal-semiconductor barrier formed by deposition of a metal layer on a semiconductor.
- High detection sensitivity
- Low flicker noise
- Low FIT (failure in time) rate
- Better thermal conductivity for higher power dissipation
- 175μA at 2V Maximum reverse leakage current
- 8kΩ Typical video resistance
- 500°C/W Thermal resistance
- 150°C Junction temperature
Ứng Dụng
Signal Processing
Cảnh Báo
ESD sensitive device, take proper precaution while handling the device.
Thông số kỹ thuật
Diode Capacitance
0.3pF
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Chờ thông báo
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000018