Trang in
BC847BS-7-F
Bipolar Transistor Array, Dual, Dual NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtDIODES INC.
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtBC847BS-7-F
Mã Đặt Hàng1773587RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
8,759 có sẵn
6,000 Bạn có thể đặt trước hàng ngay bây giờ
8759 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 500+ | US$0.047 |
| 1500+ | US$0.046 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 500
Nhiều: 1
US$23.50
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtDIODES INC.
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtBC847BS-7-F
Mã Đặt Hàng1773587RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Transistor PolarityDual NPN
Collector Emitter Voltage Max NPN45V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo45V
DC Collector Current100mA
Collector Emitter Voltage Max PNP-
Power Dissipation Pd200mW
Continuous Collector Current NPN100mA
DC Current Gain hFE200hFE
Continuous Collector Current PNP-
Power Dissipation NPN200mW
Power Dissipation PNP-
DC Current Gain hFE Min NPN200hFE
DC Current Gain hFE Min PNP-
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN100MHz
Transition Frequency PNP-
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Tổng Quan Sản Phẩm
BC847BS-7-F is a dual NPN transistor for switching and AF amplifier application.
- Ultra-small surface mount package
- Power dissipation is 200mW at TA = +25°C
- Collector-base breakdown voltage is 50V min at IC = 100µA, IB = 0, TA = +25°C
- Collector-emitter breakdown voltage is 45V min at IC = 10mA, IB = 0, TA = +25°C
- Emitter-base breakdown voltage is 6V min at IE = 100µA, IC = 0, TA = +25°C
- Gain bandwidth product is 100MHz min at VCE = 5.0V, IC = 10mA, f = 100MHz, TA = +25°C
- SOT363 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Thông số kỹ thuật
Transistor Polarity
Dual NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
45V
Collector Emitter Voltage Max PNP
-
Continuous Collector Current NPN
100mA
Continuous Collector Current PNP
-
Power Dissipation PNP
-
DC Current Gain hFE Min PNP
-
No. of Pins
6Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
-
Qualification
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max NPN
45V
DC Collector Current
100mA
Power Dissipation Pd
200mW
DC Current Gain hFE
200hFE
Power Dissipation NPN
200mW
DC Current Gain hFE Min NPN
200hFE
Transistor Case Style
SOT-363
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
100MHz
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tài Liệu Kỹ Thuật (3)
Sản phẩm thay thế cho BC847BS-7-F
Tìm Thấy 2 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000008