Trang in
DMHC3025LSDQ-13
Dual MOSFET, Complementary Dual N and Dual P Channel, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.019 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtDIODES INC.
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtDMHC3025LSDQ-13
Mã Đặt Hàng3944079RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
2,500 có sẵn
Bạn cần thêm?
2500 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 100+ | US$0.575 |
| 500+ | US$0.467 |
| 1000+ | US$0.461 |
| 5000+ | US$0.455 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 100
Nhiều: 1
US$57.50
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtDIODES INC.
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtDMHC3025LSDQ-13
Mã Đặt Hàng3944079RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeComplementary Dual N and Dual P Channel
Transistor PolarityComplementary Dual N and Dual P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id6A
Continuous Drain Current Id N Channel6A
On Resistance Rds(on)0.019ohm
Continuous Drain Current Id P Channel6A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.019ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Drain Source On State Resistance P Channel0.019ohm
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation Pd1.5W
Power Dissipation N Channel1.5W
Power Dissipation P Channel1.5W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Thông số kỹ thuật
Channel Type
Complementary Dual N and Dual P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
6A
Continuous Drain Current Id P Channel
6A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.019ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.019ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation Pd
1.5W
Power Dissipation P Channel
1.5W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Transistor Polarity
Complementary Dual N and Dual P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id
6A
On Resistance Rds(on)
0.019ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation N Channel
1.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:United States
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:United States
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000001