Trang in
DMHC6070LSD-13
Dual MOSFET, Complementary Dual N and Dual P Channel, 60 V, 60 V, 3.1 A, 3.1 A, 0.06 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtDIODES INC.
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtDMHC6070LSD-13
Mã Đặt Hàng3944082RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
1,948 có sẵn
Bạn cần thêm?
1948 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 100+ | US$0.721 |
| 500+ | US$0.709 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 100
Nhiều: 1
US$72.10
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtDIODES INC.
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtDMHC6070LSD-13
Mã Đặt Hàng3944082RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeComplementary Dual N and Dual P Channel
Transistor PolarityComplementary Dual N and Dual P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id3.1A
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel3.1A
On Resistance Rds(on)0.06ohm
Continuous Drain Current Id P Channel3.1A
Drain Source On State Resistance N Channel0.06ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Drain Source On State Resistance P Channel0.06ohm
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation Pd1.6W
Power Dissipation N Channel1.6W
Power Dissipation P Channel1.6W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Thông số kỹ thuật
Channel Type
Complementary Dual N and Dual P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id
3.1A
Continuous Drain Current Id N Channel
3.1A
Continuous Drain Current Id P Channel
3.1A
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
0.06ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation Pd
1.6W
Power Dissipation P Channel
1.6W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
Transistor Polarity
Complementary Dual N and Dual P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
On Resistance Rds(on)
0.06ohm
Drain Source On State Resistance N Channel
0.06ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation N Channel
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000001