Trang in
DMP2120U-7
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 3.8 A, 0.062 ohm, SOT-23, Surface Mount
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtDIODES INC.
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtDMP2120U-7
Mã Đặt Hàng3405186
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
7,753 có sẵn
Bạn cần thêm?
2730 Giao hàng trong 2 ngày làm việc(Singapore có sẵn)
5023 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 5+ | US$0.184 |
| 50+ | US$0.136 |
| 100+ | US$0.087 |
| 500+ | US$0.073 |
| 1500+ | US$0.072 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 5
Nhiều: 5
US$0.92
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtDIODES INC.
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtDMP2120U-7
Mã Đặt Hàng3405186
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id3.8A
Drain Source On State Resistance0.062ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation800mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Tổng Quan Sản Phẩm
DMP2120U-7 is a P-channel enhancement mode MOSFET. This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Typical applications include battery charging, power management functions, DC-DC converters, portable power adaptors.
- Low on-resistance, low input capacitance
- Fast switching speed, low input/output leakage
- Drain-source voltage is -20V at TA = +25°C
- Gate-source voltage is ±8V at TA = +25°C
- Continuous drain current is -3.8A at TA = +25°C, steady state, VGS = -4.5V
- Pulsed drain current (10µs pulse, duty cycle = 1%) is -20A at TA = +25°C
- Total power dissipation is 0.8W
- Static drain-source on-resistance is 62mohm max at VGS = -4.5V, ID = -4.2A, TA = +25°C
- SOT23 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Thông số kỹ thuật
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
3.8A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
800mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.062ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.0002