Trang in
DMP3125L-7
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 2.5 A, 0.095 ohm, SOT-23, Surface Mount
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtDIODES INC.
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtDMP3125L-7
Mã Đặt Hàng3405197RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
2,666 có sẵn
3,000 Bạn có thể đặt trước hàng ngay bây giờ
2666 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 500+ | US$0.079 |
| 1500+ | US$0.078 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 500
Nhiều: 5
US$39.50
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtDIODES INC.
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtDMP3125L-7
Mã Đặt Hàng3405197RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id2.5A
Drain Source On State Resistance0.095ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.1V
Power Dissipation650mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Tổng Quan Sản Phẩm
DMP3125L-7 is a P-channel enhancement mode MOSFET. This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Typical applications include boost switch, power management functions, analogue switch, load switch.
- Low on-resistance, low input capacitance
- Fast switching speed, low input/output leakage
- Drain-source voltage is -30V at TA = +25°C
- Gate-source voltage is ±20V at TA = +25°C
- Continuous drain current is -2.5A at TA = +25°C, steady state, VGS = -10V
- Pulsed drain current (10µs pulse, duty cycle = 1%) is -10A at TA = +25°C
- Total power dissipation is 0.65W at TA = +25°C
- Static drain-source on-resistance is 95mohm max at VGS = -10V, ID = -3.8A, TA = +25°C
- SOT23 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Thông số kỹ thuật
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.5A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
650mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.095ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000091