Trang in
ZXMC3F31DN8TA
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.024 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtDIODES INC.
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtZXMC3F31DN8TA
Mã Đặt Hàng3944178RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
450 có sẵn
Bạn cần thêm?
450 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 100+ | US$0.430 |
| 500+ | US$0.392 |
| 1000+ | US$0.363 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 100
Nhiều: 1
US$43.00
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtDIODES INC.
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtZXMC3F31DN8TA
Mã Đặt Hàng3944178RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeComplementary N and P Channel
Transistor PolarityComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id7.3A
Continuous Drain Current Id N Channel7.3A
On Resistance Rds(on)0.024ohm
Continuous Drain Current Id P Channel7.3A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.024ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.024ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleSOIC
Gate Source Threshold Voltage Max3V
No. of Pins8Pins
Power Dissipation Pd2.1W
Power Dissipation N Channel2.1W
Power Dissipation P Channel2.1W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Thông số kỹ thuật
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
7.3A
Continuous Drain Current Id P Channel
7.3A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.024ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
2.1W
Power Dissipation P Channel
2.1W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
Transistor Polarity
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id
7.3A
On Resistance Rds(on)
0.024ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
0.024ohm
Transistor Case Style
SOIC
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation N Channel
2.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000001