Trang in
ZXMHC3A01N8TC
Dual MOSFET, Complementary Dual N and Dual P Channel, 30 V, 30 V, 2.17 A, 2.17 A, 0.125 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtDIODES INC.
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtZXMHC3A01N8TC
Mã Đặt Hàng3944183RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
2,405 có sẵn
Bạn cần thêm?
2405 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 100+ | US$0.594 |
| 500+ | US$0.568 |
| 1000+ | US$0.542 |
| 5000+ | US$0.516 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 100
Nhiều: 1
US$59.40
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtDIODES INC.
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtZXMHC3A01N8TC
Mã Đặt Hàng3944183RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeComplementary Dual N and Dual P Channel
Transistor PolarityComplementary Dual N and Dual P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id2.17A
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel2.17A
On Resistance Rds(on)0.125ohm
Continuous Drain Current Id P Channel2.17A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.125ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Drain Source On State Resistance P Channel0.125ohm
Transistor Case StyleSOIC
Gate Source Threshold Voltage Max3V
No. of Pins8Pins
Power Dissipation Pd870mW
Power Dissipation N Channel870mW
Power Dissipation P Channel870mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Thông số kỹ thuật
Channel Type
Complementary Dual N and Dual P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id
2.17A
Continuous Drain Current Id N Channel
2.17A
Continuous Drain Current Id P Channel
2.17A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.125ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.125ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
870mW
Power Dissipation P Channel
870mW
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
Transistor Polarity
Complementary Dual N and Dual P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
On Resistance Rds(on)
0.125ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOIC
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation N Channel
870mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000001