Trang in
ZXMP6A13FQTA
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 1.1 A, 0.4 ohm, SOT-23, Surface Mount
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtDIODES INC.
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtZXMP6A13FQTA
Mã Đặt Hàng3127505RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
1,352 có sẵn
3,000 Bạn có thể đặt trước hàng ngay bây giờ
1352 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 100+ | US$0.226 |
| 500+ | US$0.226 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 100
Nhiều: 5
US$22.60
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtDIODES INC.
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtZXMP6A13FQTA
Mã Đặt Hàng3127505RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id1.1A
Drain Source On State Resistance0.4ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation625mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Tổng Quan Sản Phẩm
ZXMP6A13FQTA is a P-channel enhancement mode MOSFET. This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. Typical applications include DC - DC converters, power management functions, relay and solenoid driving, motor control.
- Fast switching speed, low input capacitance, low gate charge
- Qualified to AEC-Q101 standards for high reliability, PPAP capable
- Drain-source voltage is -60V at TA=+25°C
- Gate-source voltage is ±20V at TA=+25°C
- Continuous drain current is -1.1A at TA=+70°C, VGS=-10V
- Pulsed drain current is -4.0A at TA=+25°C
- Continuous source current (body diode) is -1.2A at TA=+25°C
- Pulsed source current (body diode) is -4.0A at TA=+25°C
- SOT23 (type DN) case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Cảnh Báo
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Thông số kỹ thuật
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
1.1A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
625mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.4ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000318