Trang in
BSC093N04LSGATMA1
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 49 A, 9300 µohm, PG-TDSON, Surface Mount
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtBSC093N04LSGATMA1
Mã Đặt Hàng1775460
Phạm vi sản phẩmOptiMOS 3 Series
Được Biết Đến NhưBSC093N04LS G, SP000387929
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
69,542 có sẵn
Bạn cần thêm?
69542 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 5+ | US$0.615 |
| 50+ | US$0.421 |
| 250+ | US$0.331 |
| 1000+ | US$0.255 |
| 3000+ | US$0.227 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 5
Nhiều: 5
US$3.08
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtBSC093N04LSGATMA1
Mã Đặt Hàng1775460
Phạm vi sản phẩmOptiMOS 3 Series
Được Biết Đến NhưBSC093N04LS G, SP000387929
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id49A
Drain Source On State Resistance9300µohm
Transistor Case StylePG-TDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Power Dissipation35W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeOptiMOS 3 Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
The BSC093N04LS G is a 60V N-channel Power MOSFET optimized for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers, desktops and tablet charger. Dramatically reduced gate charge and output charge enable high system efficiency and power density. The OptiMOS™ power MOSFET is ideally suited for high frequency switching and DC-DC converters.
- Highest system efficiency
- Less paralleling required
- Increased power density
- Saving space
- Very low voltage overshoot
- Superior thermal resistance
Ứng Dụng
Power Management, Motor Drive & Control, Industrial
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
49A
Transistor Case Style
PG-TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
35W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
9300µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS 3 Series
MSL
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000363