Trang in
BSO150N03MDGXUMA1
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.0125 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtBSO150N03MDGXUMA1
Mã Đặt Hàng2480752
Được Biết Đến NhưBSO150N03MD G, SP000447476
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
3,129 có sẵn
Bạn cần thêm?
3129 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$1.420 |
| 10+ | US$0.890 |
| 100+ | US$0.591 |
| 500+ | US$0.466 |
| 1000+ | US$0.424 |
| 5000+ | US$0.382 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$1.42
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtBSO150N03MDGXUMA1
Mã Đặt Hàng2480752
Được Biết Đến NhưBSO150N03MD G, SP000447476
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel8A
Continuous Drain Current Id P Channel8A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0125ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0125ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.4W
Power Dissipation P Channel1.4W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
The BSO150N03MD G is a dual N-channel MOSFET optimized for 5V driver application (notebook, VGA and POL) and qualified for consumer level application. The ultra low gate and output charge, together with lowest ON-state resistance in small footprint packages make OptiMOS™ power MOSFETs the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in server, data-com and telecom applications.
- Low FOMSW for high frequency SMPS
- 100% Avalanche tested
- Very low ON-resistance
- Excellent gate charge
- Halogen-free
Ứng Dụng
Industrial, Power Management, Communications & Networking
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
8A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0125ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.4W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
8A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0125ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
1.4W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.0005