Trang in
IDM10G120C5XTMA1
Silicon Carbide Schottky Diode, thinQ 5G 1200V, Single, 1.2 kV, 38 A, 41 nC, TO-252 (DPAK)
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIDM10G120C5XTMA1
Mã Đặt Hàng2780807RL
Phạm vi sản phẩmthinQ 5G 1200V
Được Biết Đến NhưIDM10G120C5, SP001127116
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
3,186 có sẵn
Bạn cần thêm?
3186 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 100+ | US$2.290 |
| 500+ | US$2.020 |
| 1000+ | US$1.940 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 100
Nhiều: 1
US$229.00
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIDM10G120C5XTMA1
Mã Đặt Hàng2780807RL
Phạm vi sản phẩmthinQ 5G 1200V
Được Biết Đến NhưIDM10G120C5, SP001127116
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Product RangethinQ 5G 1200V
Diode ConfigurationSingle
Repetitive Peak Reverse Voltage1.2kV
Average Forward Current38A
Total Capacitive Charge41nC
Diode Case StyleTO-252 (DPAK)
No. of Pins2 Pin
Operating Temperature Max175°C
Diode MountingSurface Mount
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
5th Generation thinQ!™ 1200V SiC Schottky diode suitable for use in solar inverters, uninterruptable power supplies, motor drives and power factor correction. Benefits of using Schottky diode are System efficiency improvement over Si diodes, system cost / size savings due to reduced cooling requirements, enabling higher frequency / increased power density solutions, higher system reliability due to lower operating temperatures and reduced EMI.
- Revolutionary semiconductor material - silicon carbide
- No reverse recovery current / no forward recovery
- Temperature independent switching behaviour
- Low forward voltage even at high operating temperature
- Tight forward voltage distribution
- Excellent thermal performance
- Extended surge current capability
- Specified dv/dt ruggedness
- Qualified according to JEDEC for target applications
Cảnh Báo
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Thông số kỹ thuật
Product Range
thinQ 5G 1200V
Repetitive Peak Reverse Voltage
1.2kV
Total Capacitive Charge
41nC
No. of Pins
2 Pin
Diode Mounting
Surface Mount
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Diode Configuration
Single
Average Forward Current
38A
Diode Case Style
TO-252 (DPAK)
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000426