Trang in
IGLD60R190D1AUMA3
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 600 V, 10 A, 0.19 ohm, 3.2 nC, LSON, Surface Mount
Ngưng sản xuất
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIGLD60R190D1AUMA3
Mã Đặt Hàng3775954RL
Phạm vi sản phẩmCoolGaN
Được Biết Đến NhưSP005557217, IGLD60R190D1
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id10A
Drain Source On State Resistance0.19ohm
Typical Gate Charge3.2nC
Transistor Case StyleLSON
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product RangeCoolGaN
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Sản phẩm thay thế cho IGLD60R190D1AUMA3
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Thông số kỹ thuật
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.19ohm
Transistor Case Style
LSON
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
10A
Typical Gate Charge
3.2nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
CoolGaN
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Philippines
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Philippines
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.0001