Trang in
IMBG40R045M2HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 43 A, 400 V, 0.0562 ohm, TO-263
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIMBG40R045M2HXTMA1
Mã Đặt Hàng4538823RL
Phạm vi sản phẩmCoolSiC™ MOSFET 400 V G2
Được Biết Đến NhưIMBG40R045M2H, SP006064680
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Tùy Chọn Đóng Gói
975 có sẵn
Bạn cần thêm?
975 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 100+ | US$4.140 |
| 500+ | US$3.700 |
| 1000+ | US$3.180 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 100
Nhiều: 1
US$414.00
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIMBG40R045M2HXTMA1
Mã Đặt Hàng4538823RL
Phạm vi sản phẩmCoolSiC™ MOSFET 400 V G2
Được Biết Đến NhưIMBG40R045M2H, SP006064680
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Continuous Drain Current Id43A
Drain Source Voltage Vds400V
Drain Source On State Resistance0.0562ohm
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation150W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC™ MOSFET 400 V G2
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
IMBG40R045M2HXTMA1 is a CoolSiC™ 400V CoolSiC™ G2 MOSFET in a 7 pin TO263 package. Typical applications include SMPS, solar PV inverters, energy storage, UPS and battery formation, class‑D audio and motor drives.
- 400V drain source voltage, 44.9mohm RDS(on), 43A drain current
- Ideal for high frequency switching and synchronous rectification
- Commutation robust fast body diode with low Qfr
- Low RDS(on) dependency on temperature
- Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V
- Recommended gate driving voltage 0V to 18V
- XT interconnection technology for best‑in‑class thermal performance
- 100% avalanche tested
- Operating junction temperature range from ‑55 to 175°C
Thông số kỹ thuật
Continuous Drain Current Id
43A
Drain Source On State Resistance
0.0562ohm
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
150W
Product Range
CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
Drain Source Voltage Vds
400V
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000001