Bạn cần thêm?
Số Lượng | Giá |
---|---|
1+ | US$3.480 |
10+ | US$2.480 |
100+ | US$1.920 |
500+ | US$1.840 |
Thông Tin Sản Phẩm
Tổng Quan Sản Phẩm
The IPB65R190CFD is a 650V CoolMOS™ CFD2 N-channel Power MOSFET with ultra-fast body diode. The CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFET, designed according to the super-junction(SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. This CoolMOS™ CFD2 combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The device provides all benefits of a fast switching SJ MOSFET while offering an extremely fast and robust body diode. This combination of extremely low switching and conduction losses together with highest robustness make especially resonant switching applications more reliable, more efficient, lighter and cooler.
- Integrated fast body diode
- Very high commutation ruggedness
- Extremely low losses due to very low figure of merit (RDS (ON) x Qg and EOSS)
- Easy to use/drive
- Halogen-free, Green device
- Limited voltage overshoot during hard commutation
- Significant Qg reduction
- Self limiting di/dt and dV/dt
- Low Qoss
- Reduced turn-ON and turn-OFF delay times
- Low switching losses
- Outstanding CoolMOS™ quality
Ứng Dụng
Industrial, Power Management, Communications & Networking, Alternative Energy, LED Lighting, Automotive
Cảnh Báo
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Thông số kỹ thuật
N Channel
17.5A
TO-263 (D2PAK)
10V
-
150°C
-
700V
0.171ohm
Surface Mount
4V
3Pins
-
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (4)
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 4 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
RoHS
RoHS
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm