Trang in
IPG20N10S4L35ATMA1
Dual MOSFET, N Channel, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.029 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIPG20N10S4L35ATMA1
Mã Đặt Hàng2725858RL
Phạm vi sản phẩmOptiMOS T2 Series
Được Biết Đến NhưIPG20N10S4L-35, SP000859022
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
10,906 có sẵn
Bạn cần thêm?
10906 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 50+ | US$0.792 |
| 250+ | US$0.634 |
| 1000+ | US$0.541 |
| 3000+ | US$0.515 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 100
Nhiều: 1
US$79.20
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIPG20N10S4L35ATMA1
Mã Đặt Hàng2725858RL
Phạm vi sản phẩmOptiMOS T2 Series
Được Biết Đến NhưIPG20N10S4L-35, SP000859022
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Drain Source Voltage Vds P Channel100V
Continuous Drain Current Id20A
Continuous Drain Current Id N Channel20A
On Resistance Rds(on)0.029ohm
Continuous Drain Current Id P Channel20A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.029ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Drain Source On State Resistance P Channel0.029ohm
Transistor Case StyleTDSON
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
No. of Pins8Pins
Power Dissipation Pd43W
Power Dissipation N Channel43W
Power Dissipation P Channel43W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS T2 Series
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
- OptiMOS™ -T2 power transistor
- Dual N-channel logic level - enhancement mode
- Automotive AEC Q101 qualified
- 175°C operating temperature
- 100% avalanche tested
Cảnh Báo
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Thông số kỹ thuật
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source Voltage Vds P Channel
100V
Continuous Drain Current Id N Channel
20A
Continuous Drain Current Id P Channel
20A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.029ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.029ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
Power Dissipation Pd
43W
Power Dissipation P Channel
43W
Product Range
OptiMOS T2 Series
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Continuous Drain Current Id
20A
On Resistance Rds(on)
0.029ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
TDSON
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation N Channel
43W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000134