Trang in
IPN65R1K5CEATMA1
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 5.2 A, 1.35 ohm, SOT-223, Surface Mount
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIPN65R1K5CEATMA1
Mã Đặt Hàng2617457
Phạm vi sản phẩmCoolMOS CE
Được Biết Đến NhưIPN65R1K5CE, SP001461234
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIPN65R1K5CEATMA1
Mã Đặt Hàng2617457
Phạm vi sản phẩmCoolMOS CE
Được Biết Đến NhưIPN65R1K5CE, SP001461234
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id5.2A
Drain Source On State Resistance1.35ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS CE
Qualification-
Sản phẩm thay thế cho IPN65R1K5CEATMA1
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
5.2A
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
1.35ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS CE
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (3)
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 3 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000245