Trang in
IPW60R125CPFKSA1
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 25 A, 0.11 ohm, TO-247, Through Hole
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Có thể đặt mua
Thời gian xử lý đơn hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất: 17 tuần
Thông báo với tôi khi có hàng trở lại
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$5.660 |
| 10+ | US$4.750 |
| 100+ | US$3.410 |
| 500+ | US$3.170 |
| 1000+ | US$2.960 |
Giá cho:Each
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$5.66
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIPW60R125CPFKSA1
Mã Đặt Hàng2212865
Được Biết Đến NhưIPW60R125CP, SP000088489
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id25A
Drain Source On State Resistance0.11ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation208W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
The IPW60R125CP is a 650V CoolMOS™ N-channel Power MOSFET features ultra-low gate charge. It is designed for hard switching topologies, server and telecom applications.
- Low figure-of-merit(FOM) RON x Qg
- Extreme dV/dt rated
- High peak current capability
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Very fast switching
- High current capability
- Significant reduction of conduction and switching losses
- High power density and efficiency for superior power conversion systems
- Best-in-class performance ratio
Ứng Dụng
Industrial, Power Management, Communications & Networking, Consumer Electronics, Alternative Energy, Lighting
Cảnh Báo
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
25A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
208W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.11ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (3)
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 5 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Philippines
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Philippines
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.008278