Trang in
IRF7313TRPBF
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.023 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIRF7313TRPBF
Mã Đặt Hàng2468008
Được Biết Đến NhưSP001562160
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIRF7313TRPBF
Mã Đặt Hàng2468008
Được Biết Đến NhưSP001562160
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel6.5A
Continuous Drain Current Id P Channel6.5A
Drain Source On State Resistance N Channel0.023ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.023ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Sản phẩm thay thế cho IRF7313TRPBF
Tìm Thấy 2 Sản Phẩm
Tổng Quan Sản Phẩm
The IRF7313TRPBF is a dual N-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.
- Generation V technology
- Ultra low ON-resistance
- Surface-mount device
- Fully avalanche rated
Ứng Dụng
Industrial, Power Management
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
6.5A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.023ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
-
MSL
-
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
6.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.023ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 2 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Thailand
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Thailand
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000194