Trang in
IRF9953TRPBF
Dual MOSFET, P Channel, 30 V, 30 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.165 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIRF9953TRPBF
Mã Đặt Hàng2725931RL
Phạm vi sản phẩmHEXFET Series
Được Biết Đến NhưSP001555962
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIRF9953TRPBF
Mã Đặt Hàng2725931RL
Phạm vi sản phẩmHEXFET Series
Được Biết Đến NhưSP001555962
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Continuous Drain Current Id2.3A
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
On Resistance Rds(on)0.165ohm
Continuous Drain Current Id N Channel2.3A
Continuous Drain Current Id P Channel2.3A
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Transistor Case StyleSOIC
Power Dissipation Pd2W
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
Tổng Quan Sản Phẩm
HEXFET® power MOSFET utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.
- Generation V technology
- Ultra-low on-resistance
- Dual P-channel MOSFET
- Surface mount package
- Very low gate charge and switching losses
- Fully avalanche rated
Cảnh Báo
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Thông số kỹ thuật
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id
2.3A
On Resistance Rds(on)
0.165ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
2.3A
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOIC
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
HEXFET Series
Automotive Qualification Standard
-
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
2.3A
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation Pd
2W
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Thailand
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Thailand
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000726