Trang in
ISC023N03LF2SATMA1
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 150 A, 0.0023 ohm, TDSON, Surface Mount
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
4,980 có sẵn
Bạn cần thêm?
4980 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 100+ | US$0.505 |
| 500+ | US$0.428 |
| 1000+ | US$0.405 |
| 5000+ | US$0.382 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 100
Nhiều: 1
US$50.50
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtISC023N03LF2SATMA1
Mã Đặt Hàng4645876RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id150A
Drain Source On State Resistance0.0023ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.35V
Power Dissipation94W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Thông số kỹ thuật
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0023ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
2.35V
No. of Pins
8Pins
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Continuous Drain Current Id
150A
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
94W
Operating Temperature Max
175°C
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Chờ thông báo
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000001