Trang in
DPG10I200PM
Fast / Ultrafast Diode, Epitaxial Diode (FRED), 200 V, 10 A, Single, 980 mV, 35 ns, 100 A
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtIXYS SEMICONDUCTOR
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtDPG10I200PM
Mã Đặt Hàng1572525
Phạm vi sản phẩmDPG10
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Ngưng sản xuất
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtIXYS SEMICONDUCTOR
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtDPG10I200PM
Mã Đặt Hàng1572525
Phạm vi sản phẩmDPG10
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Repetitive Peak Reverse Voltage200V
Average Forward Current10A
Diode ConfigurationSingle
Forward Voltage Max980mV
Reverse Recovery Time35ns
Forward Surge Current100A
Operating Temperature Max175°C
Diode Case StyleTO-220FPAC
No. of Pins2 Pin
Product RangeDPG10
Qualification-
Thông số kỹ thuật
Repetitive Peak Reverse Voltage
200V
Diode Configuration
Single
Reverse Recovery Time
35ns
Operating Temperature Max
175°C
No. of Pins
2 Pin
Qualification
-
Average Forward Current
10A
Forward Voltage Max
980mV
Forward Surge Current
100A
Diode Case Style
TO-220FPAC
Product Range
DPG10
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 2 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Germany
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Germany
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.002