DN2540N5-G
Power MOSFET, N Channel, 400 V, 500 mA, 25 ohm, TO-220AB, Through Hole
Bạn cần thêm?
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$1.760 |
| 25+ | US$1.620 |
| 100+ | US$1.490 |
Thông Tin Sản Phẩm
Tổng Quan Sản Phẩm
The DN2540N5-G is a 400V N-channel Depletion Mode (normally-on) Transistor utilizing an advanced vertical DMOS structure and well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, the transistor is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. Vertical DMOS FET is ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance and fast switching speeds are desired.
- High input impedance
- Low input capacitance
- Fast switching speeds
- Low on-resistance
- Free from secondary breakdown
- Low input and output leakage
Ứng Dụng
Power Management, Communications & Networking
Thông số kỹ thuật
N Channel
500mA
TO-220AB
0V
15W
150°C
-
No SVHC (25-Jun-2025)
400V
25ohm
Through Hole
-
3Pins
-
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
RoHS
RoHS
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm