Trang in
BSS138BKS,115
Dual MOSFET, Trench, N Channel, 60 V, 60 V, 320 mA, 320 mA, 1.6 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtNEXPERIA
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtBSS138BKS,115
Mã Đặt Hàng2575105
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
50,237 có sẵn
Bạn cần thêm?
50237 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 5+ | US$0.221 |
| 50+ | US$0.165 |
| 100+ | US$0.109 |
| 500+ | US$0.081 |
| 1500+ | US$0.080 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 5
Nhiều: 5
US$1.10
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtNEXPERIA
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtBSS138BKS,115
Mã Đặt Hàng2575105
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel320mA
Continuous Drain Current Id P Channel320mA
Drain Source On State Resistance N Channel1.6ohm
Drain Source On State Resistance P Channel1.6ohm
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel280mW
Power Dissipation P Channel280mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
BSS138BKS,115 is a 60V, 320mA dual N-channel enhancement-mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363 (SC-88) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for relay drivers, high-speed line drivers, low-side load-switch and switching circuit applications.
- Logic-level compatible
- Very fast switching
- ESD protection up to 1.5kV
- AEC-Q101 qualified
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
320mA
Drain Source On State Resistance P Channel
1.6ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
280mW
Product Range
-
MSL
-
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
320mA
Drain Source On State Resistance N Channel
1.6ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
280mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 3 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.00002