Trang in
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
51,129 có sẵn
Bạn cần thêm?
51129 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
Số Lượng | Giá |
---|---|
500+ | US$0.073 |
1500+ | US$0.072 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 500
Nhiều: 5
US$36.50
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtNEXPERIA
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtBSS84AKS,115
Mã Đặt Hàng1972665RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds50V
Drain Source Voltage Vds N Channel-
Continuous Drain Current Id160mA
Drain Source Voltage Vds P Channel50V
On Resistance Rds(on)4.5ohm
Continuous Drain Current Id N Channel-
Continuous Drain Current Id P Channel160mA
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel-
Rds(on) Test Voltage10V
Drain Source On State Resistance P Channel4.5ohm
Transistor Case StyleSOT-363
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
No. of Pins6Pins
Power Dissipation Pd445mW
Power Dissipation N Channel-
Power Dissipation P Channel445mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
The BSS84AKS is a dual P-channel enhancement-mode FET in a very small surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for relay driver, high-speed line driver, low-side load-switch and switching circuit applications.
- Logic-level compatible
- Very fast switching
Ứng Dụng
Industrial, Power Management
Cảnh Báo
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Thông số kỹ thuật
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
50V
Continuous Drain Current Id
160mA
On Resistance Rds(on)
4.5ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
160mA
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
4.5ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
Power Dissipation Pd
445mW
Power Dissipation P Channel
445mW
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
-
Drain Source Voltage Vds P Channel
50V
Continuous Drain Current Id N Channel
-
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOT-363
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation N Channel
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000005