Trang in
BUK4D110-20PH
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 3.4 A, 0.096 ohm, DFN2020MD, Surface Mount
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtNEXPERIA
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtBUK4D110-20PH
Mã Đặt Hàng4574204RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Có thể đặt mua
Thời gian xử lý đơn hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất: 10 tuần
Thông báo với tôi khi có hàng trở lại
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 100+ | US$0.285 |
| 500+ | US$0.208 |
| 1000+ | US$0.161 |
| 5000+ | US$0.134 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 100
Nhiều: 5
US$28.50
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtNEXPERIA
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtBUK4D110-20PH
Mã Đặt Hàng4574204RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id3.4A
Drain Source On State Resistance0.096ohm
Rds(on) Test Voltage8V
Gate Source Threshold Voltage Max1.3V
Power Dissipation2W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max175°C
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Thông số kỹ thuật
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.096ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
1.3V
No. of Pins
6Pins
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Continuous Drain Current Id
3.4A
Rds(on) Test Voltage
8V
Power Dissipation
2W
Operating Temperature Max
175°C
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000001