Trang in
BUK7214-75B,118
Power MOSFET, N Channel, 75 V, 69 A, 0.0126 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtNEXPERIA
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtBUK7214-75B,118
Mã Đặt Hàng2777579RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
1,085 có sẵn
Bạn cần thêm?
1085 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
Có sẵn cho đến khi hết hàng
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 500+ | US$0.891 |
| 1000+ | US$0.812 |
| 5000+ | US$0.732 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 500
Nhiều: 1
US$445.50
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtNEXPERIA
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtBUK7214-75B,118
Mã Đặt Hàng2777579RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds75V
Continuous Drain Current Id69A
Drain Source On State Resistance0.0126ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation158W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Sản phẩm thay thế cho BUK7214-75B,118
Tìm Thấy 2 Sản Phẩm
Tổng Quan Sản Phẩm
BUK7214-75B,118 is a N-channel TrenchMOS standard level FET. It is a standard-level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications. Applications include 12V, 24V and 42V loads, automotive systems, general purpose power switching, motors, lamps and solenoids.
- AEC Q101 compliant
- Low conduction losses due to low on-state resistance
- Suitable for standard level gate drive sources
- Suitable for thermally demanding environments due to 185°C rating
- 3 leads plastic single-ended surface-mounted package (DPAK)
- Junction temperature range from -55 to 185°C
- Drain-source breakdown voltage is 75V at ID = 0.25mA; VGS = 0V; Tj = 25°C
- Drain-source on-state resistance is 33mohm at VGS = 10V; ID = 25A; Tj = 185°C
- Source-drain voltage is 1.2V at IS = 25A; VGS = 0V; Tj = 25°C
- Rise time is 114ns
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
69A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
158W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Drain Source Voltage Vds
75V
Drain Source On State Resistance
0.0126ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000426