Trang in
GAN041-650WSBQ
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 47.2 A, 0.041 ohm, 22 nC, TO-247, Through Hole
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
| Nhà Sản Xuất | NEXPERIA |
|---|---|
| Mã Số Linh Kiện Nhà Sản Xuất | GAN041-650WSBQSao chép |
| Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất | 6 tuần |
| Mã Đặt Hàng | 3759053 |
| Mã sản phẩm của bạn | |
| Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật |
274 có sẵn
Bạn cần thêm?
274 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$12.210 |
| 5+ | US$12.050 |
| 10+ | US$11.890 |
| 50+ | US$11.720 |
| 100+ | US$11.560 |
| 250+ | US$11.390 |
Giá cho:Each
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$12.21
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
| Nhà Sản Xuất | NEXPERIA |
|---|---|
| Mã Số Linh Kiện Nhà Sản Xuất | GAN041-650WSBQSao chép |
| Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất | 6 tuần |
| Mã Đặt Hàng | 3759053 |
| Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật | |
| Drain Source Voltage Vds | 650V |
| Continuous Drain Current Id | 47.2A |
| Drain Source On State Resistance | 0.041ohm |
| Typical Gate Charge | 22nC |
| Transistor Case Style | TO-247 |
| Transistor Mounting | Through Hole |
| No. of Pins | 3Pins |
| Product Range | - |
| Qualification | - |
| SVHC | No SVHC (25-Jun-2025) |
Tổng Quan Sản Phẩm
GAN041-650WSBQ is a 650V, 35mohm Gallium Nitride (GaN) FET in a TO-247 package. It is a normally-off device that combines Nexperia’s latest high-voltage GaN HEMT H2 technology and low-voltage silicon MOSFET technologies — offering superior reliability and performance. The applications include hard and soft switching converters for industrial and datacom power, bridgeless totempole PFC, PV, and UPS inverters, and servo motor drives.
- Ultra-low reverse recovery charge, simple gate drive (0V to +10V or 12V), robust gate oxide (±20V)
- High gate threshold voltage (+4V) for very good gate bounce immunity
- Very low source-drain voltage in reverse conduction mode, transient over-voltage capability (800V)
- Drain-source voltage is 650V max (55°C ≤ Tj ≤ 175°C)
- Drain current is 47.2A max (VGS = 10V; Tmb = 25°C), total power dissipation is 187W max (Tmb = 25°C)
- Drain-source on-state resistance is 35mohm typ (VGS = 10V; ID = 32A; Tj = 25°C)
- Gate-drain charge is 6.6nC typ (ID = 32A; VDS = 400V; VGS = 10V; Tj = 25°C)
- Total gate charge is 22nC typ (ID = 32A; VDS = 400V; VGS = 10V; Tj = 25°C)
- Recovered charge is 150nC typ (IS = 32A; dIS/dt = -1000A/µs; VGS = 0V; VDS = 400V)
- 3 leads SOT429 package, junction temperature range from -55 to 175°C
Thông số kỹ thuật
| Drain Source Voltage Vds | 650V |
|---|---|
| Drain Source On State Resistance | 0.041ohm |
| Transistor Case Style | TO-247 |
| No. of Pins | 3Pins |
| Qualification | - |
| Continuous Drain Current Id | 47.2A |
|---|---|
| Typical Gate Charge | 22nC |
| Transistor Mounting | Through Hole |
| Product Range | - |
| SVHC | No SVHC (25-Jun-2025) |
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Sản phẩm thay thế cho GAN041-650WSBQ
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
| Nước xuất xứ: Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ: | China Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện |
|---|---|
| Số Thuế Quan: | 85412900 |
| US ECCN: | EAR99 |
| EU ECCN: | NLR |
| Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS: | Có RoHS |
| Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates: | Có RoHS |
| SVHC: | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm | Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm |
| Trọng lượng (kg): | .004749 |