Trang in
PMF170XP,115
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 1 A, 0.2 ohm, SOT-323, Surface Mount
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
23,393 có sẵn
3,000 Bạn có thể đặt trước hàng ngay bây giờ
23393 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 5+ | US$0.276 |
| 10+ | US$0.197 |
| 100+ | US$0.126 |
| 500+ | US$0.078 |
| 1000+ | US$0.064 |
| 5000+ | US$0.050 |
Giá cho:Each
Tối thiểu: 5
Nhiều: 5
US$1.38
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtNEXPERIA
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtPMF170XP,115
Mã Đặt Hàng2069557
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id1A
Drain Source On State Resistance0.2ohm
Transistor Case StyleSOT-323
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max900mV
Power Dissipation290mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Tổng Quan Sản Phẩm
PMF170XP,115 is a P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a SOT323 (SC-70) small Surface Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Typical applications include relay driver, high-speed line driver, high-side load switch, and switching circuits.
- Low RDSon, very fast switching
- Drain-source breakdown voltage is -20V min at ID=-250µA; VGS=0V; Tj=25°C
- Gate-source threshold voltage is -0.9V typ at ID=-250µA; VDS=VGS; Tj=25°C
- Drain-source on-state resistance is 175mohm typ at VGS=-4.5V; ID=-1A; Tj=25°C
- Total gate charge is 2.6nC typ at VDS=-10V; ID=-1A; VGS=-4.5V;Tj=25°C
- Source-drain voltage is -0.7V min at IS=-0.4A; VGS=0V; Tj=25°C
- Rise time is 16ns typ at VDS=-10V; ID=-1A; VGS=-4.5V;RG(ext)=6ohm; Tj=25°C
- Fall time is 13ns typ at VDS=-10V; ID=-1A; VGS=-4.5V;RG(ext)=6ohm; Tj=25°C
- Output capacitance is 43pF typ at VDS=-10V; f=1MHz; VGS=0V;Tj= 25°C
- Ambient temperature range from -55 to 150°C
Thông số kỹ thuật
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
1A
Transistor Case Style
SOT-323
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
290mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.2ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
900mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000198