Trang in
PMV41XPAR
Power MOSFET, P Channel, 28 V, 4 A, 0.05 ohm, SOT-23, Surface Mount
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtNEXPERIA
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtPMV41XPAR
Mã Đặt Hàng4245896
Phạm vi sản phẩmTrenchMOS Series
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
1,358 có sẵn
Bạn cần thêm?
1358 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 5+ | US$0.449 |
| 10+ | US$0.342 |
| 100+ | US$0.199 |
| 500+ | US$0.165 |
| 1000+ | US$0.129 |
| 5000+ | US$0.104 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 5
Nhiều: 5
US$2.24
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtNEXPERIA
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtPMV41XPAR
Mã Đặt Hàng4245896
Phạm vi sản phẩmTrenchMOS Series
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds28V
Continuous Drain Current Id4A
Drain Source On State Resistance0.05ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation510mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchMOS Series
QualificationAEC-Q101
Tổng Quan Sản Phẩm
PMV41XPAR is a P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Typical applications include relay driver, high-speed line driver, high-side load switch, and switching circuits.
- Low threshold voltage, very fast switching
- AEC-Q101 qualified
- Drain-source voltage is -28V max at Tj = 25°C
- Gate-source voltage is 12V maximum
- Drain current is -4A max at VGS = -4.5V; Tamb = 25°C
- Peak drain current is -38A max at Tamb = 25°C; single pulse; tp ≤ 10µs
- Total power dissipation is 510mW max at Tamb = 25°C
- Source current is -1.2A max at Tamb = 25°C
- Total gate charge is 14nC typ at VDS = -15V; ID = -4A; VGS = -4.5V; Tj = 25°C
- Ambient temperature range from -55 to 150°C
Thông số kỹ thuật
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
4A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
510mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
28V
Drain Source On State Resistance
0.05ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchMOS Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.00017