Trang in
BUV22G
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 250 V, 40 A, 250 W, TO-3, Through Hole
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Không còn hàng
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtONSEMI
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtBUV22G
Mã Đặt Hàng1611322
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max250V
Continuous Collector Current40A
Power Dissipation250W
Transistor Case StyleTO-3
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins2Pins
Transition Frequency8MHz
DC Current Gain hFE Min8hFE
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
Qualification-
Tổng Quan Sản Phẩm
The BUV22G is an NPN Silicon Power Transistor designed for high-speed, high-current and high-power applications.
- High DC current gain
- Very fast switching times
Ứng Dụng
Industrial, Power Management
Thông số kỹ thuật
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
40A
Transistor Case Style
TO-3
No. of Pins
2Pins
DC Current Gain hFE Min
8hFE
Product Range
-
Collector Emitter Voltage Max
250V
Power Dissipation
250W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
8MHz
Operating Temperature Max
200°C
Qualification
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Mexico
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Mexico
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85331000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Y-Ex
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.0001