Trang in
FDC6303N
Dual MOSFET, N Channel, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
121,521 có sẵn
Bạn cần thêm?
121521 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 100+ | US$0.273 |
| 500+ | US$0.223 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 100
Nhiều: 1
US$27.30
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtONSEMI
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtFDC6303N
Mã Đặt Hàng1467964RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds25V
Drain Source Voltage Vds N Channel25V
Continuous Drain Current Id680mA
Drain Source Voltage Vds P Channel-
On Resistance Rds(on)0.45ohm
Continuous Drain Current Id N Channel680mA
Continuous Drain Current Id P Channel-
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.45ohm
Rds(on) Test Voltage4.5V
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSuperSOT
Gate Source Threshold Voltage Max800mV
No. of Pins6Pins
Power Dissipation Pd900mW
Power Dissipation N Channel900mW
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Tổng Quan Sản Phẩm
The FDC6303N is a dual N-channel logic level enhancement-mode FET with high cell density and DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for digital transistors in load switching applications. Since bias resistors are not required this one N-channel FET can replace several digital transistors with different bias resistors like the IMHxA series.
- Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits
- Gate-source Zener for ESD ruggedness
- Replace multiple NPN digital transistors (IMHxA series) with one DMOS FET
- 8V Gate-source voltage
- 0.68A Continuous drain/output current
- 2A Pulsed drain/output current
Ứng Dụng
Industrial, Power Management
Thông số kỹ thuật
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
25V
Continuous Drain Current Id
680mA
On Resistance Rds(on)
0.45ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance N Channel
0.45ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
-
Gate Source Threshold Voltage Max
800mV
Power Dissipation Pd
900mW
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
25V
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id N Channel
680mA
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
SuperSOT
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation N Channel
900mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Philippines
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Philippines
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.00004