Trang in
NDC7001C
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 50 V, 50 V, 340 mA, 340 mA, 1 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
75,709 có sẵn
Bạn cần thêm?
32328 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
43381 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Mĩ có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 100+ | US$0.298 |
| 500+ | US$0.228 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 100
Nhiều: 1
US$29.80
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtONSEMI
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtNDC7001C
Mã Đặt Hàng9844872RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Transistor PolarityComplementary N and P Channel
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds50V
Drain Source Voltage Vds N Channel50V
Drain Source Voltage Vds P Channel50V
Continuous Drain Current Id340mA
Continuous Drain Current Id N Channel340mA
On Resistance Rds(on)1ohm
Continuous Drain Current Id P Channel340mA
Drain Source On State Resistance N Channel1ohm
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel1ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleSuperSOT
Gate Source Threshold Voltage Max2.1V
Power Dissipation Pd700mW
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel700mW
Power Dissipation P Channel700mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Tổng Quan Sản Phẩm
The NDC7001C is a dual N/P-channel enhancement-mode FET produced using high cell density and DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize ON-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching. This device is particularly suited for low voltage, low current, switching and power supply applications.
- High saturation current
- High density cell design for low RDS (ON)
- Design using copper lead-frame for superior thermal and electrical capabilities
Ứng Dụng
Industrial, Power Management
Thông số kỹ thuật
Transistor Polarity
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds
50V
Drain Source Voltage Vds P Channel
50V
Continuous Drain Current Id N Channel
340mA
Continuous Drain Current Id P Channel
340mA
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.1V
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
700mW
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
50V
Continuous Drain Current Id
340mA
On Resistance Rds(on)
1ohm
Drain Source On State Resistance N Channel
1ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
1ohm
Transistor Case Style
SuperSOT
Power Dissipation Pd
700mW
Power Dissipation N Channel
700mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Sản phẩm thay thế cho NDC7001C
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 2 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Philippines
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Philippines
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.00004