Trang in
NTBG020N090SC1
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 112 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtONSEMI
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtNTBG020N090SC1
Mã Đặt Hàng3367849
Phạm vi sản phẩmEliteSiC Series
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
742 có sẵn
Bạn cần thêm?
742 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$33.030 |
| 10+ | US$30.970 |
| 100+ | US$28.920 |
| 500+ | US$26.850 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$33.03
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtONSEMI
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtNTBG020N090SC1
Mã Đặt Hàng3367849
Phạm vi sản phẩmEliteSiC Series
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id112A
Drain Source Voltage Vds900V
Drain Source On State Resistance0.02ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max2.6V
Power Dissipation477W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
Tổng Quan Sản Phẩm
NTBG020N090SC1 is an EliteSiC silicon carbide (SiC) MOSFET that uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include highest efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size. Applications include DC-DC converter, boost inverter, UPS.
- Low RDSon, ultra low gate charge (Qg tot), low output capacitance (Coss)
- 100% UIL tested
- Drain to source breakdown voltage is 900V min at VGS = 0V, ID = 1mA, TJ = 25°C
- Zero gate voltage drain current is 100µA max at VGS = 0V, TJ = 25°C
- Gate threshold voltage is 2.6V typ at VGS = VDS, ID = 20mA, TJ = 25°C
- Drain to source on resistance is 20mohm typ at VGS = 15V, ID = 60A, TJ = 25°C
- Total gate charge is 200nC typ at VGS = -5/15V, VDS = 720V, ID = 60A, TJ = 25°C
- 52ns rise time/13ns fall time at VGS = -5/15V, VDS = 720V, ID = 60A, RG = 2.5ohm, inductive load
- Operating junction and storage temperature range from -55 to +175°C
- D2PAK-7L package
Thông số kỹ thuật
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
112A
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.6V
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
900V
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
477W
Product Range
EliteSiC Series
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 2 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Y-Ex
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.0004