Trang in
FDS3992
Dual MOSFET, N Channel, 100 V, 4.5 A, 0.054 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
666 có sẵn
Bạn cần thêm?
666 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 100+ | US$0.897 |
| 500+ | US$0.663 |
| 1000+ | US$0.648 |
| 5000+ | US$0.632 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 100
Nhiều: 1
US$89.70
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtONSEMI
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtFDS3992
Mã Đặt Hàng9845216RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id4.5A
On Resistance Rds(on)0.054ohm
Continuous Drain Current Id N Channel4.5A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.054ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleSOIC
Gate Source Threshold Voltage Max4V
No. of Pins8Pins
Power Dissipation Pd2.5W
Power Dissipation N Channel2.5W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Tổng Quan Sản Phẩm
The FDS3992 is a dual N-channel PowerTrench® MOSFET designed for applications like DC-to-DC converters and off-line UPS, distributed power architectures and VRMs, primary switch for 24V and 48V systems, high voltage synchronous rectifier, direct injection/diesel injection systems and electronic valve train systems.
- Low miller charge
- Low QRR body diode
- Optimized efficiency at high frequencies
- UIS Capability (single pulse and repetitive pulse)
Ứng Dụng
Industrial, Power Management
Thông số kỹ thuật
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
On Resistance Rds(on)
0.054ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance N Channel
0.054ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
2.5W
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Continuous Drain Current Id
4.5A
Continuous Drain Current Id N Channel
4.5A
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
-
Transistor Case Style
SOIC
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation N Channel
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 3 - 168 hours
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 3 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.00022