Trang in
FDS3992
Dual MOSFET, N Channel, 100 V, 4.5 A, 0.054 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
666 có sẵn
Bạn cần thêm?
666 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$1.900 |
| 10+ | US$1.280 |
| 100+ | US$0.897 |
| 500+ | US$0.663 |
| 1000+ | US$0.648 |
| 5000+ | US$0.632 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$1.90
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtONSEMI
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtFDS3992
Mã Đặt Hàng9845216
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel4.5A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.054ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2.5W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Tổng Quan Sản Phẩm
The FDS3992 is a dual N-channel PowerTrench® MOSFET designed for applications like DC-to-DC converters and off-line UPS, distributed power architectures and VRMs, primary switch for 24V and 48V systems, high voltage synchronous rectifier, direct injection/diesel injection systems and electronic valve train systems.
- Low miller charge
- Low QRR body diode
- Optimized efficiency at high frequencies
- UIS Capability (single pulse and repetitive pulse)
Ứng Dụng
Industrial, Power Management
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
MSL
MSL 3 - 168 hours
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Continuous Drain Current Id N Channel
4.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.054ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 3 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.00022