Thông báo với tôi khi có hàng trở lại
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 4000+ | US$0.364 |
| 12000+ | US$0.318 |
Thông Tin Sản Phẩm
Tổng Quan Sản Phẩm
The FDT439N is a 30V N-channel 2.5V specified enhancement mode Field Effect Transistor is produced using high cell density and DMOS technology. This very high density process is specially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. It is well suited for low voltage and low current applications. UniFET™ MOSFET is high voltage MOSFET family based on advanced planar stripe and DMOS technology. In addition, internal gate-source ESD diode allows UniFET II MOSFET to withstand over 2kV HBM surge stress. This is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts. This product is general usage and suitable for many different applications.
- Switching loss improvements
- Lower conduction loss
- 100% avalanche tested
- Smaller stored energy in dynamic characteristics
- A lower gate charge (Qg) performance
- Improved system reliability in PFC and soft switching topologies
Thông số kỹ thuật
N Channel
6.3A
SOT-223
4.5V
3W
150°C
-
30V
0.045ohm
Surface Mount
670mV
4Pins
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (3)
Sản phẩm thay thế cho FDT439N
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Philippines
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
RoHS
RoHS
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm