NTJD1155LT1G
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 8 V, 8 V, 1.3 A, 1.3 A, 0.13 ohm
Bạn cần thêm?
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 100+ | US$0.161 |
| 500+ | US$0.155 |
| 1500+ | US$0.148 |
Thông Tin Sản Phẩm
Tổng Quan Sản Phẩm
The NTJD1155LT1G is a P and N-channel Power MOSFET particularly suited for portable electronic equipment's where low control signals, low battery voltages and high load currents are needed. The P-channel device is specifically designed as a load switch using state-of-the-art Trench technology. The N-channel, with an external resistor (R1), functions as a level-shift to drive the P-channel. The N-channel MOSFET has internal ESD protection and it can be driven by logic signals as low as 1.5V. The NTJD1155L operates on supply lines from 1.8 to 8V and can drive loads up to 1.3A with 8V applied to both VIN and VON/OFF.
- Extremely low RDS (ON) P-channel load switch MOSFET
- Level shift MOSFET is ESD protected
- Low profile, small footprint package
- 1.5 to 8V ON/OFF range
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
Ứng Dụng
Portable Devices, Power Management, Industrial
Thông số kỹ thuật
Complementary N and P Channel
8V
8V
1.3A
1.3A
0.13ohm
0.13ohm
1V
400mW
400mW
-
-
No SVHC (27-Jun-2024)
Complementary N and P Channel
8V
1.3A
0.13ohm
Surface Mount
4.5V
SC-88
6Pins
400mW
150°C
-
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
RoHS
RoHS
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm