Trang in
NTMC083NP10M5L
Dual MOSFET, N and P Channel, 100 V, 100 V, 4.1 A, 4.1 A, 0.0594 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
11,940 có sẵn
Bạn cần thêm?
11940 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 100+ | US$0.506 |
| 500+ | US$0.455 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 100
Nhiều: 5
US$50.60
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtONSEMI
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtNTMC083NP10M5L
Mã Đặt Hàng3787297RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Transistor PolarityN and P Channel
Channel TypeN and P Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Drain Source Voltage Vds P Channel100V
Continuous Drain Current Id4.1A
On Resistance Rds(on)0.0594ohm
Continuous Drain Current Id N Channel4.1A
Continuous Drain Current Id P Channel4.1A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0594ohm
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel0.0594ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.9V
Transistor Case StyleSOIC
Power Dissipation Pd3.1W
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3.1W
Power Dissipation P Channel3.1W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Tổng Quan Sản Phẩm
Power, dual N- and P-channel (100V, 83mohm, 4.5A, -100V, 131ohm, -3.6A) MOSFET is typically used in power tools, battery operated vacuums, UAV/drones, material handling, motor drive and home automation applications.
- Small footprint (5 x 6mm) for compact design
- Low RDS(on) to minimize conduction losses
- Low QG and capacitance to minimize driver losses
- Not ESD protected
- Low conduction loss, standard footprint
Thông số kỹ thuật
Transistor Polarity
N and P Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source Voltage Vds P Channel
100V
On Resistance Rds(on)
0.0594ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
4.1A
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOIC
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3.1W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Channel Type
N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Continuous Drain Current Id
4.1A
Continuous Drain Current Id N Channel
4.1A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0594ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0594ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
1.9V
Power Dissipation Pd
3.1W
Power Dissipation N Channel
3.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Philippines
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Philippines
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.0001