Trang in
NVMFWS2D3N04XM
Power MOSFET, PPAP Capable, N Channel, 40 V, 121 A, 0.00235 ohm, WDFN, Surface Mount
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtONSEMI
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtNVMFWS2D3N04XM
Mã Đặt Hàng4472912RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
1,491 có sẵn
Bạn cần thêm?
1491 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 100+ | US$0.867 |
| 500+ | US$0.600 |
| 1500+ | US$0.566 |
| 3000+ | US$0.559 |
| 4500+ | US$0.552 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 100
Nhiều: 5
US$86.70
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtONSEMI
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtNVMFWS2D3N04XM
Mã Đặt Hàng4472912RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id121A
Drain Source On State Resistance0.00235ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation63W
No. of Pins5Pins
Operating Temperature Max175°C
Thông số kỹ thuật
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.00235ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
5Pins
Continuous Drain Current Id
121A
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
63W
Operating Temperature Max
175°C
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Chờ thông báo
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.00001