Trang in
TP65H035G4YS
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 46.5 A, 0.041 ohm, 42.7 nC, TO-247, Through Hole
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
| Nhà Sản Xuất | RENESAS |
|---|---|
| Mã Số Linh Kiện Nhà Sản Xuất | TP65H035G4YSSao chép |
| Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất | 28 tuần |
| Mã Đặt Hàng | 4680953 |
| Phạm vi sản phẩm | SuperGaN Series |
| Mã sản phẩm của bạn | |
| Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật |
913 có sẵn
Bạn cần thêm?
913 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$15.210 |
| 5+ | US$14.540 |
| 10+ | US$13.820 |
| 50+ | US$13.430 |
| 100+ | US$13.030 |
| 250+ | US$12.770 |
Giá cho:Each
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$15.21
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
| Nhà Sản Xuất | RENESAS |
|---|---|
| Mã Số Linh Kiện Nhà Sản Xuất | TP65H035G4YSSao chép |
| Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất | 28 tuần |
| Mã Đặt Hàng | 4680953 |
| Phạm vi sản phẩm | SuperGaN Series |
| Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật | |
| Drain Source Voltage Vds | 650V |
| Continuous Drain Current Id | 46.5A |
| Drain Source On State Resistance | 0.041ohm |
| Typical Gate Charge | 42.7nC |
| Transistor Case Style | TO-247 |
| Transistor Mounting | Through Hole |
| No. of Pins | 4Pins |
| Product Range | SuperGaN Series |
| Qualification | - |
| SVHC | No SVHC (25-Jun-2025) |
Tổng Quan Sản Phẩm
TP65H035G4YS is a 650V, 35mohm gallium nitride (GaN) FET. It is a normally-off device using Renesas’s Gen IV platform. It combines a state-of-the-art high voltage GaN HEMT with a low voltage silicon MOSFET to offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN® platform uses advanced epi and patented design technologies to simplify manufacturability while improving efficiency over silicon via lower gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. It is ideal for datacom, broad industrial, PV inverter and servo motor applications.
- JEDEC qualified GaN technology
- Dynamic RDS(on)eff production tested
- Robust design featuring a wide gate safety margin and transient over-voltage capability
- Enhanced inrush current capability and reduced crossover loss
- Enables AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs
- Achieves increased efficiency in both hard- and soft-switched circuits
- Easy to drive with commonly-used gate drivers
- GSD pin layout improves high speed design
- Available in 4 pin TO-247 package
Thông số kỹ thuật
| Drain Source Voltage Vds | 650V |
|---|---|
| Drain Source On State Resistance | 0.041ohm |
| Transistor Case Style | TO-247 |
| No. of Pins | 4Pins |
| Qualification | - |
| Continuous Drain Current Id | 46.5A |
|---|---|
| Typical Gate Charge | 42.7nC |
| Transistor Mounting | Through Hole |
| Product Range | SuperGaN Series |
| SVHC | No SVHC (25-Jun-2025) |
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
| Nước xuất xứ: Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ: | Philippines Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện |
|---|---|
| Số Thuế Quan: | 85412900 |
| US ECCN: | EAR99 |
| EU ECCN: | NLR |
| Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS: | Có RoHS |
| Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates: | Có RoHS |
| SVHC: | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm | Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm |
| Trọng lượng (kg): | .000001 |