Trang in
TP65H035G4YS
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 46.5 A, 0.041 ohm, 42.7 nC, TO-247, Through Hole
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtRENESAS
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtTP65H035G4YS
Mã Đặt Hàng4680953
Phạm vi sản phẩmSuperGaN Series
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
1,184 có sẵn
Bạn cần thêm?
1184 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$21.620 |
| 5+ | US$19.600 |
| 10+ | US$17.120 |
| 50+ | US$15.780 |
| 100+ | US$14.800 |
| 250+ | US$13.980 |
Giá cho:Each
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$21.62
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtRENESAS
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtTP65H035G4YS
Mã Đặt Hàng4680953
Phạm vi sản phẩmSuperGaN Series
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id46.5A
Drain Source On State Resistance0.041ohm
Typical Gate Charge42.7nC
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins4Pins
Product RangeSuperGaN Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
TP65H035G4YS is a 650V, 35mohm gallium nitride (GaN) FET. It is a normally-off device using Renesas’s Gen IV platform. It combines a state-of-the-art high voltage GaN HEMT with a low voltage silicon MOSFET to offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN® platform uses advanced epi and patented design technologies to simplify manufacturability while improving efficiency over silicon via lower gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. It is ideal for datacom, broad industrial, PV inverter and servo motor applications.
- JEDEC qualified GaN technology
- Dynamic RDS(on)eff production tested
- Robust design featuring a wide gate safety margin and transient over-voltage capability
- Enhanced inrush current capability and reduced crossover loss
- Enables AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs
- Achieves increased efficiency in both hard- and soft-switched circuits
- Easy to drive with commonly-used gate drivers
- GSD pin layout improves high speed design
- Available in 4 pin TO-247 package
Thông số kỹ thuật
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.041ohm
Transistor Case Style
TO-247
No. of Pins
4Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
46.5A
Typical Gate Charge
42.7nC
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
SuperGaN Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Philippines
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Philippines
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Chờ thông báo
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000001