Trang in
GNP1150TCA-ZE2
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 11 A, 0.15 ohm, 2.7 nC, DFN8080AK, Surface Mount
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtROHM
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtGNP1150TCA-ZE2
Mã Đặt Hàng4179927RL
Phạm vi sản phẩmEcoGaN Series
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
3,510 có sẵn
Bạn cần thêm?
3510 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 100+ | US$3.010 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 100
Nhiều: 1
US$301.00
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtROHM
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtGNP1150TCA-ZE2
Mã Đặt Hàng4179927RL
Phạm vi sản phẩmEcoGaN Series
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id11A
Drain Source On State Resistance0.15ohm
Typical Gate Charge2.7nC
Transistor Case StyleDFN8080AK
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product RangeEcoGaN Series
Qualification-
Thông số kỹ thuật
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.15ohm
Transistor Case Style
DFN8080AK
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
11A
Typical Gate Charge
2.7nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
EcoGaN Series
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Taiwan
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Taiwan
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Y-Ex
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000001