Trang in
SH8M24TB1
Dual MOSFET, N and P Channel, 45 V, 45 V, 6 A, 6 A, 0.033 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Có thể đặt mua
Thời gian xử lý đơn hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất: 20 tuần
Thông báo với tôi khi có hàng trở lại
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 100+ | US$0.967 |
| 500+ | US$0.772 |
| 1000+ | US$0.726 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 100
Nhiều: 1
US$96.70
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtROHM
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSH8M24TB1
Mã Đặt Hàng3976640RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Transistor PolarityN and P Channel
Channel TypeN and P Channel
Drain Source Voltage Vds45V
Drain Source Voltage Vds N Channel45V
Drain Source Voltage Vds P Channel45V
Continuous Drain Current Id6A
Continuous Drain Current Id N Channel6A
On Resistance Rds(on)0.033ohm
Continuous Drain Current Id P Channel6A
Drain Source On State Resistance N Channel0.033ohm
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel0.033ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleSOP
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation Pd3.1W
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3.1W
Power Dissipation P Channel3.1W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
Thông số kỹ thuật
Transistor Polarity
N and P Channel
Drain Source Voltage Vds
45V
Drain Source Voltage Vds P Channel
45V
Continuous Drain Current Id N Channel
6A
Continuous Drain Current Id P Channel
6A
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3.1W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
Channel Type
N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
45V
Continuous Drain Current Id
6A
On Resistance Rds(on)
0.033ohm
Drain Source On State Resistance N Channel
0.033ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.033ohm
Transistor Case Style
SOP
Power Dissipation Pd
3.1W
Power Dissipation N Channel
3.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Thailand
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Thailand
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.00005