Trang in
SH8MA3TB1
Dual MOSFET, N and P Channel, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.023 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
2,826 có sẵn
Bạn cần thêm?
2826 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 100+ | US$0.574 |
| 500+ | US$0.479 |
| 1000+ | US$0.381 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 100
Nhiều: 1
US$57.40
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtROHM
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSH8MA3TB1
Mã Đặt Hàng3934726RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN and P Channel
Transistor PolarityN and P Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Continuous Drain Current Id7A
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel7A
On Resistance Rds(on)0.023ohm
Continuous Drain Current Id P Channel7A
Drain Source On State Resistance N Channel0.023ohm
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel0.023ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleSOP
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
No. of Pins8Pins
Power Dissipation Pd2.8W
Power Dissipation N Channel2.8W
Power Dissipation P Channel2.8W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N and P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id
7A
Continuous Drain Current Id N Channel
7A
Continuous Drain Current Id P Channel
7A
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation Pd
2.8W
Power Dissipation P Channel
2.8W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
Transistor Polarity
N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
On Resistance Rds(on)
0.023ohm
Drain Source On State Resistance N Channel
0.023ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.023ohm
Transistor Case Style
SOP
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation N Channel
2.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Philippines
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Philippines
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.0005