Trang in
STP15N80K5
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 14 A, 0.375 ohm, TO-220, Through Hole
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtSTMICROELECTRONICS
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSTP15N80K5
Mã Đặt Hàng2807282
Phạm vi sản phẩmMDmesh K5
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
28 có sẵn
Bạn cần thêm?
28 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$3.030 |
| 10+ | US$2.160 |
| 100+ | US$2.100 |
| 500+ | US$2.040 |
| 1000+ | US$1.980 |
Giá cho:Each
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$3.03
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtSTMICROELECTRONICS
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSTP15N80K5
Mã Đặt Hàng2807282
Phạm vi sản phẩmMDmesh K5
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id14A
Drain Source On State Resistance0.375ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation190W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh K5
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
STP15N80K5 is a N-channel MDmesh™ K5 Power MOSFET in D2PAK. This is designed using MDmesh™ K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency. Application includes switching.
- 800V VDC, 0.375ohm maximum RDS(on), 14A ID, 190W PTOT
- Industry’s lowest RDS(on) x area, industry’s best figure of merit (FoM)
- Ultra-low gate charge, 100% avalanche tested, Zener-protected
- Gate- source voltage us ±30V, 14A drain current (continuous) at TC = 25°C
- 150mJ Single pulse avalanche energy (starting TJ = 25°C, ID=IAS, VDD= 50V)
- 4.5V/ns peak diode recovery voltage slope
- 0.66°C/W maximum thermal resistance junction-case
- 800V drain-source breakdown voltage (VGS= 0, ID = 1mA)
- 4V typical gate threshold voltage (VDS = VGS, ID = 100µA, TCASE = 25°C)
- TO-220 package, operating junction temperature storage temperature range from -55 to 150°C
Cảnh Báo
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
14A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
190W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
0.375ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh K5
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.0023