Trang in
2SC5200-O(Q)
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 230 V, 15 A, 150 W, TO-3PL, Through Hole
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtTOSHIBA
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản Xuất2SC5200-O(Q)
Mã Đặt Hàng3870093
Được Biết Đến Như2SC5200
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
722 có sẵn
1,600 Bạn có thể đặt trước hàng ngay bây giờ
722 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$4.050 |
| 10+ | US$2.540 |
| 100+ | US$2.310 |
| 500+ | US$2.120 |
Giá cho:Each
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$4.05
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtTOSHIBA
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản Xuất2SC5200-O(Q)
Mã Đặt Hàng3870093
Được Biết Đến Như2SC5200
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max230V
Continuous Collector Current15A
Power Dissipation150W
Transistor Case StyleTO-3PL
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency30MHz
DC Current Gain hFE Min55hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Tổng Quan Sản Phẩm
2SC5200-O(Q) is a silicon NPN triple diffused type transistor for power amplifier application.
- High breakdown voltage VCEO = 230V (min)
- Complementary to 2SA1943
- Suitable for use in 100W high fidelity audio amplifier’s output stage
- 150W collector power dissipation (Tc=25°C), 200pF (VCB=10V, IE=0, f=1MHz) collector O/P capacitance
- Collector cut-off current is 5μA max (VCB = 230V, IE = 0A, Ta = 25°C)
- Emitter cut-off current is 5μA max (VEB = 5V, IC = 0A, Ta = 25°C)
- Collector-emitter breakdown voltage is 230V min (IC = 50mA, IB = 0A, Ta = 25°C)
- Collector-emitter saturation voltage is 0.4V typ (IC = 8A, IB = 0.8A, Ta = 25°C)
- Transition frequency is 30MHz typ (VCE = 5V, IC = 1A, Ta = 25°C)
- Junction temperature is 150°C
Thông số kỹ thuật
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
15A
Transistor Case Style
TO-3PL
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
55hFE
Product Range
-
Collector Emitter Voltage Max
230V
Power Dissipation
150W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
30MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Japan
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Japan
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Y-Ex
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.009525