Trang in
IRLI630GPBF.
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 5.9 A, 0.4 ohm, TO-220, Through Hole
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Không còn hàng
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtVISHAY
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIRLI630GPBF.
Mã Đặt Hàng8660034
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id5.9A
Drain Source On State Resistance0.4ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation32W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
5.9A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
5V
Power Dissipation
32W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.4ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 3 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Great Britain
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Great Britain
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Chờ thông báo
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.002