Trang in
SI1539CDL-T1-GE3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 700 mA, 700 mA, 0.323 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
18,959 có sẵn
Bạn cần thêm?
18959 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 100+ | US$0.182 |
| 500+ | US$0.144 |
| 1500+ | US$0.141 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 100
Nhiều: 5
US$18.20
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtVISHAY
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSI1539CDL-T1-GE3
Mã Đặt Hàng2056712RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Transistor PolarityComplementary N and P Channel
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Continuous Drain Current Id700mA
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
On Resistance Rds(on)0.323ohm
Continuous Drain Current Id N Channel700mA
Continuous Drain Current Id P Channel700mA
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.323ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Drain Source On State Resistance P Channel0.323ohm
Transistor Case StyleSOT-363
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
No. of Pins6Pins
Power Dissipation Pd340mW
Power Dissipation N Channel340mW
Power Dissipation P Channel340mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
The SI1539CDL-T1-GE3 is a N/P-channel MOSFET designed for use with DC to DC converter and load switch applications.
- Halogen-free
- 100% Rg tested
Ứng Dụng
Industrial, Power Management
Thông số kỹ thuật
Transistor Polarity
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id
700mA
On Resistance Rds(on)
0.323ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
700mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.323ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.323ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
Power Dissipation Pd
340mW
Power Dissipation P Channel
340mW
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
700mA
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOT-363
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation N Channel
340mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (3)
Sản phẩm thay thế cho SI1539CDL-T1-GE3
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 2 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000005